Страницы: << Prev 1 2 3 4 5  ...... 126 127 128 129 130 131 Next>>

Автор	Сообщение
Alek70 магистр Группа: Участники Сообщений: 1816	Добавлено: 02-11-2017 06:34
	ralex, тут есть кое какие тонкости в использовании таких транзисторов, т.е. "верхний" драйвер должен быть на такое-же напряжение или вся пред-схема висеть на высоком потенциале, у оптопары даже не более 1000В развязка по гальванике... Ты скажи,что хочешь сделать (ТЗ), я постараюсь помочь... Цитировать
ralex гроссмейстер Группа: Участники Сообщений: 148	Добавлено: 02-11-2017 17:40
	ralex, тут есть кое какие тонкости в использовании таких транзисторов, т.е. "верхний" драйвер должен быть на такое-же напряжение или вся пред-схема висеть на высоком потенциале, у оптопары даже не более 1000В развязка по гальванике... Ты скажи,что хочешь сделать (ТЗ), я постараюсь помочь... Alek70 спасибо за отклик! Я выбрал вариант, если Вашими словами, то "вся пред-схема висит на высоком потенциале". Однако предпринял следующие меры предосторожности: Шим имеет отдельную землю и отдельное питание генераторной части и полумоста, что стоит на выходе. Этим в т.ч. поборол "дребезг" на переднем фронте ШИМ на низких (сначала менее 4 к Гц, а сейчас уже и менее 1 кГц нужно - но пока с этим не справился) частотах. Далее, драйвер верхнего Р-ключа также не имеет общей земли с силовым питанием. Да, разумеется, по "+" питания он гальванически соединён с силовым питанием ключа, однако земля драйвера не соединена с землёй p-мосфета. Т.е. выход драйвера работает между истоком и затвором p-ключа. И работает- таки! Однако проблема в точ, что индуктивная нагрузка (дроссель), которая сидит в цепи стока, собственно между силовой землёй и стоком p-мосфета, выдаёт по окончании импульса управления выброс, который превышает допустимое напряжение сток-исток уже при напряжении силового питания в 13-14 в. Т.е. до высокого потенциала ещё идти и идти. Понятно, что это дроссель не в том режиме работает, что нужно, но чтобы к нужному режиму подойти - не палить же дорогие мосфеты? Цитировать
Alek70 магистр Группа: Участники Сообщений: 1816	Добавлено: 03-11-2017 06:17
	ralex Понятно, что это ещё и дроссель не в том режиме работает, что нужно, но чтобы пока к нужному режиму подходишь - не палить же дорогие мосфеты. Тогда ставить супрессор или снаббер... Цитировать
ralex гроссмейстер Группа: Участники Сообщений: 148	Добавлено: 04-11-2017 17:10
	ralex Понятно, что это ещё и дроссель не в том режиме работает, что нужно, но чтобы пока к нужному режиму подходишь - не палить же дорогие мосфеты. Тогда ставить супрессор или снаббер... Alek70 Приветствую! Спасибо за обратную связь. Снаббер (я пробовал быстрый вентиль поставить параллельно нагрузке) - конечно кардинальное решение проблемы. Однако вместе с решением этой проблемы "мы выплёскиваем и ребёнка". Да, мосфет спасли. Да, картинка как в учебнике - правильный прямоугольный импульс с хорошими фронтами. Но суть то упускаем при таком инженерном решении.... Я полагаю, что в нужном нам режиме работы (в самом начале насыщения сердечника) такого большого выброса не будет, но, блин пока к этой точке подойти не удаётся. Напряжение питание ключа нужно повышать. А куда повышать? Итак выброс под 600 в. Пробовать IGBT? Но там фронты никакие.... Цитировать
Alek70 магистр Группа: Участники Сообщений: 1816	Добавлено: 06-11-2017 06:08
	ralex, я пробовал ещё одно решение этой проблемки, поставь со стока, последовательно с индуктивной нагрузкой, диод шотки, помогает... Цитировать
adgjlzcbm мастер Группа: Участники Сообщений: 98	Добавлено: 15-11-2017 09:10
	Доброго здравия всем! Спецы подскажите пожалуйста как снять энергию с кондера 500 мкф заряженого до 800 вольт и преобразовать в ток пром частоты! Цитировать
Alek70 магистр Группа: Участники Сообщений: 1816	Добавлено: 17-11-2017 06:35
	adgjlzcbm, как снять? Разово? Постоянно снимать? Кто накачивает конденсатор? С какой интенсивностью? Какой ток при съёме? Вот когда будут все эти параметры, тогда и будем разговаривать... Цитировать
adgjlzcbm мастер Группа: Участники Сообщений: 98	Добавлено: 18-11-2017 09:27
	Alek70 самая главная фраза в вопросе преобразовать в ток промышленной частоты! Цитировать
Alek70 магистр Группа: Участники Сообщений: 1816	Добавлено: 20-11-2017 05:46
	Alek70 самая главная фраза в вопросе преобразовать в ток промышленной частоты! Промышленная частота это и 50Гц, и 400Гц, и постоянный ток... Можно поконкретнее? Если надо получить 50Гц 220В, то можно, с небольшой переделкой, использовать ПРОМЫШЛЕННЫЙ инвертор... А дальше тема имеет название: Как переделать промышленный инвертор на напряжение 800 Вольт. Цитировать
KRAFT магистр Группа: Модераторы Сообщений: 3329	Добавлено: 10-02-2018 18:39
	Основное препятствие в ключевании дросселя так и не решено. Значит нужно будет предложить возможное решение. Надо будет подумать. P.S. форум изредка почитывал, поэтому в курсе событий. Сразу прощу прощения, если сразу не могу ответить, плотно занят работой. Цитировать
noi магистр Группа: Модераторы Сообщений: 5560	Добавлено: 11-02-2018 09:58
	KRAFT рад, что вы снова с нами. Цитировать
Тарасенко гроссмейстер Группа: Участники Сообщений: 189	Добавлено: 11-02-2018 14:48
	Приветствую всех У меня есть Skype чат где собранные люди с разных стран которые разрабатывают бтг разного типа они все являются специалистами своего дела Я лично занимался бтг Смита и Приглашаю всех ко мне в Skype чат и новичков и специалистов для более тесного общения потом распределю всех по мостям специалистов для более серьёзных проектов новичков будем учить по порядку и без дезинформации у кого есть skype Присоединяйтесь click Так начни здесь всех объединять, по скайпу мало кто поймет, чего ты хочешь... А объединяться надо! Цитировать
KRAFT магистр Группа: Модераторы Сообщений: 3329	Добавлено: 11-02-2018 15:09
	KRAFT рад, что вы снова с нами. Уважаемый А.Б. в свою очередь я рад, что Вы по прежнему остаётесь бессменным ведущем нашей площадки. Вернулся на форум, прям как домой, а тут всё по старому, всё и все на своих местах, приятно. Цитировать
KRAFT магистр Группа: Модераторы Сообщений: 3329	Добавлено: 11-02-2018 15:40
	Ну и сразу по делу. Основная проблема ключевания "БД" дросселя, прежде всего кроется в электронном ключе. У Теслы, как вы знаете, был механический альтернатор и там эта проблема решена за счёт чисто механического и электромагнитного взаимодействия между статором и ротором устройства. В нашем случае, имеем электронный симулятор, позволяющий добиться схожего эффекта, однако требования к ключу высоки. Проблема в том, что современные ключи не заточены для решения таких задач, поэтому придётся решать её схемотехнически для достижения необходимого нам эффекта. Итак, давайте рассмотрим, что представляет из себя современный электронный ключ на примере широко распространённых в настоящее время MOSFET транзисторов - мощных полевых N-канальных транзисторов с изолированным затвором. Внутренняя структура такого транизистора показывает, что в его составе находится, как минимум три элемента, что по сути уже является признаком микросхемы. В состав такого транзистора входит собственно полупроводниковая структура транзистора, защитный супрессор (скоростной стабилитрон) в цепи затвора, ограничивающий напряжение на затворе в пределах допустимого уровня и предотвращающий его пробой в процессе монтажа или эксплуатации, кроме него также присутствует защитный "обратно-смещённый диод" стоящий параллельно каналу полевого транзистора. Данный диод, в процессе производства кристаллов, получается автоматически, однако его характеристики по быстродействию заметно, порой на порядок, хуже, чем самой транзисторной структуры. Другими словами, закрывание транзистора будет на порядок медленнее, что будет сводить на нет любое желание "убыстрить ключ". В связи с этим, для приближения к "идеальному ключу" желательно избавится от данного элемента, что необходимо именно для нашей схемы, как ключа "верхнего уровня". Кроме этого, анализ схемы управления показывает, что требуется полная гальваническая развязка ключа вместе со схемой управления (драйвера затвора) от основной схемы генератора задающих импульсов, т.е. нам нужен ГОПИ с выходным каскадом, который позволит исключить влияние токов утечки в изоляторах собственно драйвера, как и паразитных емкостей в том числе и емкостей монтажа. Также следует сказать о чудовищно большой ёмкости затвора транзистора, достигающий единиц и десяток нанофарад, что также резко снижает скорость быстродействия и требует более продвинутых, а значит более дорогих драйверов затвора с большим импульсным током на выходе, способных быстро "качнуть" эту самую ёмкость. Поэтому требуется либо серьёзный драйвер, либо схема нейтрализации этой ёмкости. Ну и наконец, собственно, "высоковольтность" ключа, также тема для рассмотрения и как возможное решение, применение альтернативной схемотехники. При соблюдении таких условий можно расчитывать на достижение максимально возможного быстродействия и наконец получения ожидаемого эффекта. Решений может быть несколько. В следующем посте предложу несколько схемотехнических решений. Цитировать
ralex гроссмейстер Группа: Участники Сообщений: 148	Добавлено: 11-02-2018 22:20
	... MOSFET транзисторов - мощных полевых N-канальных транзисторов с изолированным затвором. Kraft , приветствую Вас! Честно говоря, уже и не надеялся, что дадите о себе знать . А почему N-Mosfet, для примера взяли? Да, есть уже по настоящему высоковольтные (4,5 кВ) экземпляры ... Но! В верхнем плече с индуктивной нагрузкой.... Как заставить корректно работать? Точнее, если все по правилам (вентильно-ёмкостной обвес) - работает как в учебнике, но ведь суть того, чего хотим от связки "ключ - БД" - убита этим обвесом. Цитировать
vitanar магистр Группа: Участники Сообщений: 2041	Добавлено: 12-02-2018 12:25
	может кому нибудь пригодится http://www.cqf.su/theory09.html Цитировать

Страницы: << Prev 1 2 3 4 5  ...... 126 127 128 129 130 131 Next>>

Отвечать на темы могут только зарегистрированные пользователи